G-31D4型高精密雙面光刻機(jī)  

一、設(shè)備概述

本設(shè)備廣泛用于各大、中、小型企業(yè)、大專院校、科研單位，它主要用于中小規(guī)模集成電路、半導(dǎo)體元器件、光電子器件、聲表面波器件、薄膜電路、電力電子器件的研制和生產(chǎn)。

二、主要功能特點(diǎn)

1.適用范圍廣

適用于φ100mm以下、厚度5mm以下的各種基片(包括非圓形基片)的對(duì)準(zhǔn)曝光，雙面可同時(shí)曝光，亦可用于單面曝光。

2.結(jié)構(gòu)

Z軸采用滾珠直進(jìn)式導(dǎo)軌和可實(shí)現(xiàn)硬接觸、軟接觸、微力接觸的真空密著機(jī)構(gòu)，真空吸版，防粘片機(jī)構(gòu)。

3.操作簡(jiǎn)便

X、Y移動(dòng)、Q轉(zhuǎn)、Z軸升降采用手動(dòng)方式；吸版、反吹采用按鈕方式，操作、調(diào)試、維護(hù)、修理都非常簡(jiǎn)便。

4.可靠性高

采用進(jìn)口（日本產(chǎn)）電磁閥、按鈕、定時(shí)器；采用獨(dú)特的氣動(dòng)系統(tǒng)、真空管路系統(tǒng)和精密的機(jī)械零件，使本機(jī)運(yùn)行具有非常高的可靠性。

三、主要技術(shù)指標(biāo)

1、曝光類型：接觸式、版版對(duì)準(zhǔn)雙面一次曝光；

2、曝光面積：Ф102mm；

3、曝光照度均勻性：≥97%（測(cè)量?jī)x器：光強(qiáng)計(jì)；測(cè)量方法：逐點(diǎn)檢測(cè)法）；

4、曝光強(qiáng)度：≤30mw/cm²（測(cè)量?jī)x器：光強(qiáng)計(jì)；測(cè)量方法：紫外線照度計(jì)測(cè)量）；

5、紫外光束角：≤3?；

6、紫外光中心波長(zhǎng)：365nm；

7、光源質(zhì)保期：1年；

8、工作面溫度：≤30℃；

9、采用電子快門；

10、曝光分辨率：1μm(曝光深度為線寬的10倍左右)；

11、曝光模式：雙面同時(shí)曝光；

12、對(duì)準(zhǔn)范圍：X:±5mm Y:±5mm；

13、板板對(duì)準(zhǔn)精度：2μm；

14、旋轉(zhuǎn)范圍：Q向旋轉(zhuǎn)調(diào)節(jié)≤±5°；

15、顯微系統(tǒng)：雙視場(chǎng)CCD系統(tǒng)，物鏡1.6X～10X，計(jì)算機(jī)圖像處理系統(tǒng)，19″液晶監(jiān)視器；總放大倍數(shù)91～570倍；

16、掩模版尺寸：能真空吸附5"方形掩板，對(duì)版的厚度無特殊要求（1～3mm皆可）；

17、基片尺寸：適用于4"基片，基片厚度0.1－2mm都可以；

18、訂貨時(shí)無特殊要求，標(biāo)配5"×5版架；可以定制5"×5以下版架；