一、設(shè)備概述: 

本設(shè)備廣泛用于各大、中、小型企業(yè)、大專院校、科研單位，它主要用于中小規(guī)模集成電路、半導(dǎo)體元器件、光電子器件、聲表面波器件、薄膜電路、電力電子器件的研制和生產(chǎn)。

曝光頭部件圖

CCD顯微系統(tǒng)|X、Y、Q對準(zhǔn)工作臺

二、主要功能特點

1.適用范圍廣

適用于150×150mm以下、厚度5mm以下的各種基片(包括非圓形基片)的對準(zhǔn)曝光，雙面可同時曝光，亦可用于單面曝光。

2.結(jié)構(gòu)穩(wěn)定

Z軸采用滾珠直進式導(dǎo)軌和可實現(xiàn)硬接觸、軟接觸、微力接觸的真空密著機構(gòu)，真空吸版，防粘片機構(gòu)。

3.操作簡便

X、Y移動、Q轉(zhuǎn)、Z軸升降采用手動方式；吸版、反吹采用按鈕方式，操作、調(diào)試、維護、修理都非常簡便。

4. 可靠性高

采用進口（日本產(chǎn)）電磁閥、按鈕、定時器；采用獨特的氣動系統(tǒng)、真空管路系統(tǒng)和精密的機械零件，使本機運行具有非常高的可靠性。

5. 特設(shè)功能

除標(biāo)準(zhǔn)承片臺外，還可以為用戶定制專用承片臺，來解決非圓形基片、碎片和底面不平的基片造成的版片分離不開所引起的版片無法對準(zhǔn)的問題

三、主要技術(shù)指標(biāo)：

1、曝光類型：版版對準(zhǔn)雙面曝光；

2、曝光面積：Ф150mm；

3、曝光照度均勻性：≥97%；（測量儀器：光強計；測量方法：逐點檢測法）；

4、曝光強度：≤30mw/cm²（測量儀器：光強計；測量方法：紫外線照度計測量）；

5、紫外光束角：≤3?；

6、紫外光中心波長：365nm；

7、光源質(zhì)保期：1年； 

8、工作面溫度：≤30℃；

9、采用電子快門；

10、曝光分辨率：2μm(曝光深度為線寬的10倍左右)；

11、曝光模式：雙面同時曝光；

12、對準(zhǔn)范圍：X:±5mm Y:±5mm；

13、版版對位精度：2μm；

14、旋轉(zhuǎn)范圍：Q向旋轉(zhuǎn)調(diào)節(jié)≤±5°；

15、顯微系統(tǒng)：雙視場CCD系統(tǒng)，物鏡1.6X～10X，計算機圖像處理系統(tǒng)，19″液晶監(jiān)視器；

16、掩模版尺寸：能真空吸附6"方形掩板，對版的厚度無特殊要求（1～3mm皆可）；

17、基片尺寸：適用于Φ5"mm圓形基片，基片厚度≤5mm；