型號(hào) :ZCL-700
一、真空室:
1. 形式:雙腔室結(jié)構(gòu),中間配置閘板閥;
A、濺射室:700(寬)x700(深)x600mm(高),后開門;配置3個(gè) CF35法蘭,軸心指向工作臺(tái),用于觀測(cè),觀測(cè)路徑上不得有阻擋;另設(shè)置φ100mm觀測(cè)窗一個(gè);
B、進(jìn)料室:500(寬)x500(深)x600mm(高),前開門;配置射頻離子源(清洗)和傳送機(jī)構(gòu),支持Φ250mm×20mm(高),重量≥2kg樣品的送入;
C、閘板閥:500x400mm.送料機(jī)構(gòu)傳送;
2. 室體材料304不銹耐酸鋼,內(nèi)壁不銹鋼拋光,外壁噴丸處理;
3. 含2套腔體防污板 (304材料);
4. 樣片在上,磁控靶在上;
5. 冷卻管道采用304不銹鋼管;
6. 主機(jī)與電控柜連接之電纜,應(yīng)裝入線槽,且從上方通過(guò);
7. 所有供水管均采用塑料高壓氣管,進(jìn)、出水塑料高壓氣管采用兩種不同顏色顯示;
8. 控電柜采用縱柜形式;

二、真空系統(tǒng):
1.進(jìn)料室:A.極限真空 ≤1.0x10-3pa,恢復(fù)真空: 大氣→9×10-1Pa ≤30min;
B.真空泵配置:250分子泵 + GSD120B干泵一臺(tái);
C.送樣系統(tǒng) 采用load-lock室送樣系統(tǒng),支持Φ250mm×20mm(高),重量≥2kg樣品的送入;
2.濺射室:A.極限真空 ≤5.0x10-5pa,恢復(fù)真空: 大氣→1.0×10-4Pa ≤40min;
B.升壓率:≤5.0pa@12hours;
C.真空泵配置:GSD120B干泵一臺(tái)(低噪音)+ 400分子泵一臺(tái);
D.濺射真空室抽氣速率45min內(nèi)真空度≤1×10-4Pa;
E.濺射真空室升壓率 ≤5.0Pa@12hours;
3. 真空系統(tǒng)測(cè)量:自動(dòng)真空壓強(qiáng)控制儀;觀察窗口徑≥Φ80mm;
4. 真空系統(tǒng)操作:自動(dòng)/手動(dòng)(PLC控制);
三、加熱控溫系統(tǒng):
1.管狀加熱器加熱紅外輻射加熱,功率6Kw;
2.加熱控制溫度范圍:室溫~300℃,分辨率0.1℃,控溫精度:≤±2℃;
3.數(shù)字PID自動(dòng)控溫系統(tǒng),溫度可控可調(diào)(測(cè)量位置:被鍍基片附近);非接觸工件直接測(cè)溫,熱電偶控溫;
四、工作臺(tái)(基片臺(tái))
1.正置工作臺(tái)1個(gè),共聚焦濺射。工作臺(tái)旋轉(zhuǎn),3-30rpm無(wú)級(jí)變速,速度連續(xù)可調(diào);
工作模式
全自動(dòng)濺射:調(diào)取預(yù)存設(shè)置參數(shù),濺射全程無(wú)需干預(yù),支持999層膜層參數(shù)設(shè)置;
半自動(dòng)濺射:可單獨(dú)設(shè)置全部控制參數(shù),并執(zhí)行濺射程序,中途可以中斷并修改參數(shù)并重新濺射;
手動(dòng)濺射:點(diǎn)動(dòng)控制各硬件模塊,進(jìn)行濺射;
2.工件旋轉(zhuǎn):自轉(zhuǎn),轉(zhuǎn)速5~30rpm;可放置φ250mm樣品一件;
3.濺射膜厚均勻區(qū):不均勻性小于±5%@1μm,區(qū)域直徑≥200mm;
4. 濺射膜厚重復(fù)性:≥95%;
5.加熱控溫系統(tǒng)采用電阻絲加熱;紅外輻射加熱,非接觸工件直接測(cè)溫,熱電偶控溫;加熱控制溫度范圍:室溫~300℃,分辨率0.1℃,控溫精度:≤±2℃;
6.工作臺(tái)高度可調(diào),以滿足靶基距離調(diào)整要求;
五、磁控濺射靶及電源(直徑6英吋磁控靶,濺射靶數(shù)量3個(gè),角度可調(diào)):
1.直流濺射電源(3件):3KW(恒流控制);射頻電源2件,1.5Kw;
2.濺射方式:由上往下濺射;靶基間距80-300mm可調(diào),調(diào)節(jié)量可控,分辨率≤±1mm;
3.濺射材料:A.金屬:Au、Pt、Ti、Cr、Ni、W、Fe、Cu、Ag、Al、NiCr、NiSi;
B.非金屬:AlN、SiO2、Al2O3;
4.每件靶上面有氣動(dòng)擋板,擋板可旋轉(zhuǎn);
5.濺射模式 直流濺射/射頻濺射;
6.功率 直流濺射功率≥1000W;射頻濺射功率>600W;
7.有效區(qū)域 ≥Φ250mm;
8.濺射膜厚均勻性 不均勻性小于±5%@1μm 區(qū)域直徑≥200mm;
9.濺射膜厚重復(fù)性 ≥95%;
10.靶電極和冷卻水管須套在不銹鋼管內(nèi);
11.磁控濺射靶的冷卻水做到只要鍍膜開機(jī)抽真空,其冷卻水就暢通;
12.直流、射頻磁控電源能方便切換到需要工作的磁控濺射靶上,預(yù)濺射正式濺射的時(shí)間能直觀地顯示在觸摸屏上;
六、壓力控制系統(tǒng):
1.自動(dòng)壓強(qiáng)控制儀:控制范圍5×10-2Pa(0.1Pa)~10 Pa可調(diào),穩(wěn)定控制精度±0.1Pa;
2.氣路控制3路工藝氣體進(jìn)氣,1路N2,1路Ar,1路O2,質(zhì)量流量計(jì)控制氣體流量;
3.充氣系統(tǒng):配3只日本山武質(zhì)量流量計(jì);
4.氣路:全金屬管路,采用內(nèi)壁拋光不銹鋼管;
七、清洗系統(tǒng):
Load-lock室配置IBD-RISE-12-HO射頻離子源,可對(duì)樣品進(jìn)行射頻清洗;
八、計(jì)算機(jī)全自動(dòng)控制系統(tǒng):
1.控制方式:17”一體式工控機(jī)電腦 + 工業(yè)控制PLC模塊;
2.性能:
1)可靠性:設(shè)備的故障反饋及誤操作互鎖保護(hù)功能,具備各系統(tǒng)的自診斷功能:設(shè)備一旦出現(xiàn)故障,自動(dòng)存儲(chǔ)故障記錄,發(fā)出聲光報(bào)警,等待操作人員檢查處理;
2)自動(dòng)化:可以實(shí)現(xiàn)從排氣到濺射完成的一鍵控制,控制較為靈活;
3)用戶可自行編寫濺射程序,并由此濺射機(jī)自動(dòng)實(shí)施;
3.濺射數(shù)據(jù)管理:
1)參數(shù)包括但不限以下:膜層的濺射氣壓、功率(電壓、電流)、時(shí)間、溫度、基片臺(tái)轉(zhuǎn)速等;
2)真空度數(shù)據(jù)保存及曲線顯示;
4.工作模式:
1)全自動(dòng)濺射:調(diào)取預(yù)存設(shè)置參數(shù),濺射全程無(wú)需干預(yù),支持999層膜層參數(shù)設(shè)置;
2)半自動(dòng)濺射:可單獨(dú)設(shè)置全部控制參數(shù),并執(zhí)行濺射程序,中途可以中斷并修改參數(shù)并重新濺射;
3)手動(dòng)濺射:點(diǎn)動(dòng)控制各硬件模塊,進(jìn)行濺射;
每層膜層的濺射氣壓曲線、功率(電壓、電流)曲線、時(shí)間、溫度曲線、基片臺(tái)轉(zhuǎn)速等參數(shù)并以數(shù)據(jù)表和圖片的形式導(dǎo)出,且界面美觀;
4.濺射過(guò)程自動(dòng)化,自動(dòng)控制的主要內(nèi)容:
1)具備..的故障反饋及誤操作互鎖保護(hù)功能以及各系統(tǒng)自診斷功能;
2)真空系統(tǒng)抽、排氣可編程設(shè)置,由工控電腦自動(dòng)控制完成;
3)工件盤轉(zhuǎn)動(dòng)的高,低速旋轉(zhuǎn)可編程設(shè)置;
4)氣體管路閥門及進(jìn)氣量可編程設(shè)置;由工控電腦自動(dòng)控制壓控儀完成;
5)各個(gè)泵閥的控制由PLC來(lái)自動(dòng)完成;
6)膜厚控制采用時(shí)間功率方式進(jìn)行,可顯示濺射時(shí)間及功率;
5.控制特點(diǎn):
1)人機(jī)界面為中文觸摸形式,可由觸摸屏或鍵盤和鼠標(biāo)進(jìn)行對(duì)話;
2)參數(shù)設(shè)置功能:時(shí)間、功率及相關(guān)參數(shù);
3)可通過(guò)編程進(jìn)行參數(shù)設(shè)置,也可在電腦屏幕上直接輸入;
4)具有數(shù)據(jù)信息自動(dòng)存儲(chǔ)功能,記錄文件可方便的輸出;
5)記錄文件格式可轉(zhuǎn)換為Excell格式;
6)整個(gè)工作過(guò)程自動(dòng)儲(chǔ)存;
7)保護(hù)功能具備自鎖、互鎖安全保護(hù)措施:
九、安裝要求:
1.環(huán)境溫度:10~35℃;
2.相對(duì)濕度:不大于80%;
3.設(shè)備周圍環(huán)境整潔,空氣清潔,不應(yīng)有可引起電器及其他金屬表面腐蝕或引起金屬間導(dǎo)電的塵?;驓怏w存在;
十一、設(shè)備動(dòng)力要求:
1.水源: 自來(lái)水循環(huán),水壓0.2~0.3Mpa,水量~60L/min,進(jìn)水溫度≤20℃~25℃;
2.氣源:氣壓0.6Mpa;
3.電源:三相五線制220V/380V,50Hz,電壓波動(dòng)范圍:三相342~399V,單相198~231V;頻率波動(dòng)范圍:49~51Hz;設(shè)備功率:~20KW;接地電阻4Ω;
十一、設(shè)備總尺寸:<2.5m(長(zhǎng)) x 1.5m(寬) x 2.0(高);

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