G-33E6型高精密雙面光刻機

一、設備概述

本設備廣泛用于各大、中、小型企業(yè)、大專院校、科研單位，主要用于集成電路、半導體元器件、光電子器件、光學器件研制和生產(chǎn),由于本機找平機構(三點找平）極為突出，找平力小，使本機不僅適合硅片、玻璃片、陶瓷片的曝光，而且也適合易碎片如砷化鉀、磷化銦等基片的曝光, 這是一臺雙面對準單面曝光的光刻機,它不僅能完成普通光刻機的任何工作,同時還是一臺檢查雙面對準精度的檢查儀。

二、設備主要構成

主要由高精度對準工作臺、雙目分離視場立式顯微鏡或雙目分離視場臥式顯微鏡、數(shù)字式攝像頭、計算機成象記憶系統(tǒng)、6″高均勻性蠅眼專用曝光頭。

三、主要性能指標

1、曝光類型：雙面對準單面曝光；

2、曝光面積：≥150×150mm；

3、曝光強度：≥5mw/cm²；

4、曝光照度均勻性：≥97%（?100mm）；≥96%（?150mm）；光束角：≤3?（測量儀器：光強計；測量方法：逐點檢測法）；

5、紫外光源：350W高壓球形汞燈

6、曝光模式：可以正反對準，正面套刻曝光；

7、曝光方式：密著曝光；

8、曝光分辨率：≤1μm；（所需條件見后面附件1）；

9、對準范圍：X、Y±3mm；Q±3°，Q轉調(diào)節(jié)精度≤0.05°，對準精度：正面≤1μm；反面≤3μm；

10、載物臺x,y平面移動精度≤1um；

11、對準方式：手動；

12、接觸－分離漂移：≤1μm；分離量；0～50μm可調(diào)；

13、具有三點自動找平功能，找平精度≤3um；

14、顯微系統(tǒng)：

1) 正面對準采用雙視場CCD立式顯微鏡，總放大倍數(shù)觀察系統(tǒng)放大倍數(shù)為： 1.6×57=91 倍（小倍數(shù)），10×57=570 倍（大倍數(shù)），連續(xù)調(diào)節(jié)，雙物鏡可調(diào)距離50mm～120mm；

2) 反面對準采用雙視場CCD臥式顯微鏡?？偡糯蟊稊?shù)為57-400倍連續(xù)變焦，顯微鏡調(diào)整范圍: X、Y、Z，通過千分尺實現(xiàn)X、Y、Z移動；

15、配置掩模版架： 7″×7″一套；（可以根據(jù)用戶需要定制）；

16、配置基片載物臺：?150mm一套；（可以根據(jù)用戶需要定制）；

17、配有無油靜音真空泵；

18、尺寸和重量：

尺寸：機體1300 mm（長）×750 mm（寬）×1900mm（高）。

重量：≤400Kg。

19、G-33E6 型光刻機的組成：

由主機（含機體和工作臺），對準用單筒顯微鏡，LED紫外曝光頭組成。