G-33B4型高精密雙面光刻機(jī)

一、設(shè)備概述

本設(shè)備廣泛用于各大、中、小型企業(yè)、大專院校、科研單位，主要用于集成電路、半導(dǎo)體元器件、光電子器件、光學(xué)器件研制和生產(chǎn),由于本機(jī)找平機(jī)構(gòu):(三點(diǎn)找平）極為突出，找平力小，使本機(jī)不僅適合硅片、玻璃片、陶瓷片的曝光，而且也適合易碎片如砷化鉀、磷化銦等基片的曝光, 這是一臺雙面對準(zhǔn)單面曝光的光刻機(jī),它不僅能完成普通光刻機(jī)的任何工作,同時還是一臺檢查雙面對準(zhǔn)精度的檢查儀。

二、主要性能指標(biāo)

1，采用350W直流球形汞燈；

2，曝光面積：110mm×110mm；

3，曝光強(qiáng)度：5mw/cm2；

4，曝光不均勻性：≤3%；

5，曝光時間采用0～999.9秒（日本OMRON生產(chǎn)）時間繼電器控制；

6，套刻精度：1μm；

7，觀察系統(tǒng)為上下各兩個無級變倍、高分辨率單筒顯微鏡上裝四個CCD攝像頭通過視屏線連接計算機(jī)到19″高清液晶顯視屏上；

a、單筒顯微鏡為1.6X～10X連續(xù)變倍顯微鏡；

b、CCD攝像機(jī)靶面對角線尺寸為：1/3″；

c、采用19″液晶監(jiān)視器，其數(shù)字放大倍率為19÷1/3=57倍；

d、觀察系統(tǒng)放大倍數(shù)為：1.6×57=91倍（小倍數(shù)）；

               10×57=570倍（大倍數(shù)）；