G-26D4型高精密單面光刻機(jī)

基本尺寸圖

一、主要用途

本設(shè)備用于中小規(guī)模集成電路、半導(dǎo)體元器件、聲表面波器件的研制和生產(chǎn)，找平機(jī)構(gòu)（三點(diǎn)找平）極為突出，找平力極小，這帶來(lái)諸多顯著效果：一是在基片曝光操作上適用性廣泛，各類(lèi)常規(guī)基片曝光時(shí)，本機(jī)均可穩(wěn)定、沉穩(wěn)應(yīng)對(duì)，保障曝光工作順利。其次，本機(jī)應(yīng)對(duì)特殊基片時(shí)表現(xiàn)明顯，如質(zhì)地易碎的砷化鉀、磷化銦基片，操作時(shí)不會(huì)被損壞就可完成曝光；對(duì)非圓形基片、小型基片這種特殊的、對(duì)精度要求高的基片，本機(jī)也能完成曝光，滿足曝光需求。

LED曝光頭及部件圖

三點(diǎn)找平機(jī)構(gòu)高精度X、Y、Z、Q 調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)

二、主要性能指標(biāo)

1、曝光類(lèi)型：?jiǎn)蚊?，接觸式；

2、曝光面積：110×110mm；

3、曝光照度均勻性：≥97%（測(cè)量?jī)x器：光強(qiáng)計(jì)；測(cè)量方法：逐點(diǎn)檢測(cè)法）；

4、曝光強(qiáng)度：≤30mw/cm²：（測(cè)量?jī)x器：光強(qiáng)計(jì)；測(cè)量方法：紫外線照度計(jì)測(cè)量。）；

5、紫外光束角：≤3?；

6、紫外光中心波長(zhǎng)：365nm（也可以配專(zhuān)用曝光頭實(shí)現(xiàn)g線、h線、I線的組合）；

7、光源質(zhì)保期：1年；

8、曝光分辨率：1μm；

9、曝光模式：可選擇一次曝光或套刻曝光；

10、顯微鏡掃描范圍：X： ±15mm   Y： ±15mm；

11、對(duì)準(zhǔn)范圍：X、Y：±3mm，Q：±3°；

12、套刻精度：1μm;(見(jiàn)后面附件1)；

13、分離量；0～50μm可調(diào)；

14、接觸－分離漂移：≤1μm；

15、曝光方式：密著曝光，可實(shí)現(xiàn)硬接觸、軟接觸和微力接觸曝光；

16、找平方式：三點(diǎn)式自動(dòng)找平；

17、顯微系統(tǒng)：雙視場(chǎng)CCD系統(tǒng)，顯微鏡91X～570X連續(xù)變倍（物鏡1.6X-10X連續(xù)變倍），雙物鏡距離可調(diào)范圍42mm～100mm，計(jì)算機(jī)圖像處理系統(tǒng)，19″液晶監(jiān)視器；

18、掩模版尺寸： 5″×5″；

19、基片尺寸：φ4″；

20、基片厚度：≤5 mm；因基片的厚度不同，制作承片臺(tái)時(shí)需要進(jìn)行分級(jí)處理，單獨(dú)設(shè)計(jì)制作，1mm為一個(gè)等級(jí)(基片厚度:0-5mm可分為五個(gè)等級(jí)：0-1mm,1-2mm,2-3mm,3-4mm,4-5mm)其中：我公司隨機(jī)配送厚度為0-1mm等級(jí)的承片臺(tái)，若用戶還需其余等級(jí)承片臺(tái)（訂貨時(shí)用戶須說(shuō)明，費(fèi)用另議）；

21、曝光定時(shí)：0～999.9秒可調(diào)；

22、對(duì)準(zhǔn)方式：手動(dòng)；

23、曝光頭轉(zhuǎn)位：氣動(dòng)；

24、設(shè)備所需能源：

電源：?jiǎn)蜗郃C220V  50HZ ，功耗≤1.5KW；

潔凈空氣壓力：≥0.4MPa；

真空度：-0.07MPa~-0.09MPa；

25、尺寸和重量：

尺寸：機(jī)體1000 mm（長(zhǎng)）×720 mm（寬）×1700mm（高），重量：≤200Kg；

26、G-26D4型光刻機(jī)的組成：

由主機(jī)（含機(jī)體和工作臺(tái)），對(duì)準(zhǔn)用單筒顯微鏡，LED鷹眼曝光頭組成；

27、附件如下：

a. 主機(jī)附件：（出廠時(shí)安裝到機(jī)器上）

5"□型掩版夾盤(pán)。

       用于Φ4"基片的真空夾持承片臺(tái)。

b. 顯微鏡組成:

(1) 單筒顯微鏡二個(gè);

(2) 兩個(gè)CCD;

(3) 視頻連接線;

(4) 計(jì)算機(jī)和19"液晶監(jiān)視器;