G-33D4型高精密雙面光刻機

一、設備概述：

本設備用于中小規(guī)模集成電路、半導體元器件、聲表面波器件的研制和生產，找平機構（三點找平）極為突出，找平力極小，這帶來諸多顯著效果：一是在基片曝光操作上適用性廣泛，各類常規(guī)基片曝光時，本機均可穩(wěn)定、沉穩(wěn)應對，保障曝光工作順利。其次，本機應對特殊基片時表現(xiàn)顯著，如質地易碎的砷化鉀、磷化銦基片，操作時不會被損壞就可完成曝光；對非圓形基片、小型基片這種特殊的、對精度要求高的基片，本機也能完成曝光，滿足曝光需求

曝光頭及部件圖

CCD顯微系統(tǒng)|X、Y、Q對準工作臺

二、主要性能指標

1、曝光類型：雙面對準單面曝光；

2、曝光面積：≥110×110mm；

3、曝光強度：≤30mw/cm²，（測量儀器：光強計；測量方法：紫外線照度計測量）；

4、曝光照度均勻性：≥97%；紫外光束角：≤3?；（測量儀器：光強計；測量方法：逐點檢測法）；

5、紫外光源：LED，紫外光中心波長：365nm-460nm，出廠標配365nm，可根據(jù)用戶要求定制，光源質保期：1年；

6、曝光模式：可以正反對準，正面套刻曝光；

7、曝光方式：密著曝光，可實現(xiàn)硬接觸、軟接觸和微分離曝光、底吹曝光；

8、曝光分辨率：≤1μm（所需條件見后面附件1）；

9、對準范圍：X、Y±3mm、Q±3°，Q轉調節(jié)精度≤0.05°，對準精度：正面≤1μm；反面≤2μm；

10、載物臺x,y平面移動精度≤1μm；

11、對準方式：手動；

12、接觸－分離漂移：≤1μm；分離量；0～50μm可調；

13、具有三點自動找平功能，找平精度≤3μm；

14、顯微系統(tǒng)：

1) 正面對準采用雙視場CCD立式顯微鏡，總放大倍數(shù)觀察系統(tǒng)放大倍數(shù)為： 1.6×57=91 倍（小倍數(shù)），10×57=570 倍（大倍數(shù)），連續(xù)調節(jié)，雙物鏡可調距離40mm～110mm；

2) 反面對準采用雙視場CCD臥式顯微鏡?？偡糯蟊稊?shù)為57-400倍連續(xù)變焦，顯微鏡調整范圍: X,Y,Z，通過千分尺實現(xiàn)X,Y,Z移動；

3) 正反面CCD像素為200萬倍；

15、配置掩模版架： 5″×5″（標配，可根據(jù)用戶要求定制）；

16、配置基片載物臺：φ4″（標配，可根據(jù)用戶要求定制）；

17、配有無油靜音真空泵；

18、尺寸和重量：

尺寸：機體1000 mm（長）×750 mm（寬）×1700mm（高）；

重量：≤200Kg；

19、G-33D4 型光刻機的組成：

由主機（含機體和工作臺），對準用單筒顯微鏡，LED紫外曝光頭組成；

20、附件如下：

a. 主機附件：（出廠時安裝到機器上）

1) 5"□型掩版夾盤。

用于Φ4"基片的真空夾持承片臺。

b. 顯微鏡組成：

(1) 單筒顯微鏡二套；

(2) 兩套CCD；

(3) 視頻連接線；

(4) 計算機和19"液晶監(jiān)視器。