G-33E4型高精密雙面光刻機
一、設(shè)備概述
本設(shè)備廣泛用于各大、中、小型企業(yè)、大專院校、科研單位,主要用于集成電路、半導(dǎo)體元器件、光電子器件、光學(xué)器件研制和生產(chǎn),由于本機找平機構(gòu),找平力小,使本機不僅適合硅片、玻璃片、陶瓷片的曝光,而且也適合易碎片如砷化鉀、磷化銦等基片的曝光, 這是一臺雙面對準(zhǔn)單面曝光的光刻機,它不僅能完成普通光刻機的任何工作,同時還是一臺檢查雙面對準(zhǔn)精度的檢查儀。
主要構(gòu)成


曝光頭及部件圖
二、主要性能指標(biāo)
(1)高均勻蠅眼曝光頭。
a.曝光類型:雙面對準(zhǔn)單面曝光;
b.曝光面積:110mm×110mm;
c.曝光強度:≥5mW/cm2汞燈(進(jìn)口);
d.光源平行性:≤3.5°;
e.曝光不均勻性:≤3%;
f.套刻精度:正面1μm;反面3μm;
(2)觀察系統(tǒng)為上下各兩個無級變倍、高分辨率單筒顯微鏡上裝四個CCD攝像頭通過視屏線連接計算機到19″高清液晶顯視屏上。
a. 單筒顯微鏡為1.6X~10X連續(xù)變倍顯微鏡;
b. CCD攝像機靶面對角線尺寸為:1/3″;
c. 采用19″液晶監(jiān)視器,其數(shù)字放大倍率為19÷1/3=57倍;
d. 觀察系統(tǒng)放大倍數(shù)為:1.6×57=91倍(小倍數(shù));
10×57=570倍(大倍數(shù));

當(dāng)前位置:
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