G-33E4型高精密雙面光刻機

一、設(shè)備概述

本設(shè)備廣泛用于各大、中、小型企業(yè)、大專院校、科研單位，主要用于集成電路、半導(dǎo)體元器件、光電子器件、光學(xué)器件研制和生產(chǎn),由于本機找平機構(gòu)，找平力小，使本機不僅適合硅片、玻璃片、陶瓷片的曝光，而且也適合易碎片如砷化鉀、磷化銦等基片的曝光, 這是一臺雙面對準(zhǔn)單面曝光的光刻機,它不僅能完成普通光刻機的任何工作,同時還是一臺檢查雙面對準(zhǔn)精度的檢查儀。

主要構(gòu)成

曝光頭及部件圖

二、主要性能指標(biāo)

（1）高均勻蠅眼曝光頭。

a.曝光類型：雙面對準(zhǔn)單面曝光；

b.曝光面積：110mm×110mm；

c.曝光強度：≥5mW/cm2汞燈（進(jìn)口）；

d.光源平行性：≤3.5°；

e.曝光不均勻性：≤3%；

f.套刻精度：正面1μm；反面3μm；

（2）觀察系統(tǒng)為上下各兩個無級變倍、高分辨率單筒顯微鏡上裝四個CCD攝像頭通過視屏線連接計算機到19″高清液晶顯視屏上。

a. 單筒顯微鏡為1.6X～10X連續(xù)變倍顯微鏡；

b. CCD攝像機靶面對角線尺寸為：1/3″；

c. 采用19″液晶監(jiān)視器，其數(shù)字放大倍率為19÷1/3=57倍；

d. 觀察系統(tǒng)放大倍數(shù)為：1.6×57=91倍（小倍數(shù)）；

         10×57=570倍（大倍數(shù)）；