G-26D6型高精密單面光刻機

基本尺寸圖

一、設(shè)備概述:

本設(shè)備用于中小規(guī)模集成電路、半導體元器件、聲表面波器件的研制和生產(chǎn)，找平機構(gòu)（三點找平）極為突出，找平力極小，這帶來諸多顯著效果：一是在基片曝光操作上適用性廣泛，各類常規(guī)基片曝光時，本機均可穩(wěn)定、沉穩(wěn)應對，保障曝光工作順利。其次，本機應對特殊基片時表現(xiàn)明顯，如質(zhì)地易碎的砷化鉀、磷化銦基片，操作時不會被損壞就可完成曝光；對非圓形基片、小型基片這種特殊的、對精度要求高的基片，本機也能完成曝光，滿足曝光需求。

LED曝光頭及部件圖

三點找平機構(gòu)高精度X、Y、Z、Q 調(diào)節(jié)機構(gòu)

二、主要技術(shù)指標：

1、曝光類型：單面；

2、曝光面積：Ф150mm；

3、曝光照度均勻性：≥97%（測量儀器：光強計；測量方法：逐點檢測法）；

4、曝光強度：0～40mw/cm²可調(diào)，（測量儀器：光強計；測量方法：紫外線照度計測量）；

5、紫外光束角：≤3?；

6、紫外光中心波長：365nm；

7、光源質(zhì)保期：1年；

8、曝光分辨率：1μm；

9、曝光模式：可選擇一次曝光或套刻曝光；

10、顯微鏡掃描范圍：X：±15mm   Y：±15mm；

11、對準范圍：X、Y ±3mm；Q ±3°；

12、套刻精度：1μm,(見后面附件1)；

13、分離量；0～100μm可數(shù)字設(shè)定；

14、接觸－分離漂移：≤1μm；

15、曝光方式：密著曝光，可實現(xiàn)硬接觸、軟接觸和微力接觸曝光；

16、找平方式：三點式自動找平；

17、顯微系統(tǒng)：雙視場CCD系統(tǒng)，顯微鏡91X～570X連續(xù)變倍（物鏡1.6X～10X連續(xù)變

倍），雙物鏡距離可調(diào)范圍42mm～100mm，計算機圖像處理系統(tǒng)，19″液晶監(jiān)視器；

18、掩模版尺寸： 178×178mm（采用上放片模式）；

19、基片尺寸： ?150mm；

20、基片厚度：≤5 mm（需分級，每級級差1mm）；

21、曝光定時：0～999.9秒可調(diào)；

22、對準精度：±0.5μm；

23、曝光頭轉(zhuǎn)位：氣動；

24、設(shè)備所需能源：

電源：單相AC220V  50HZ ，功耗≤1KW；

潔凈空氣壓力：≥0.4MPa；

真空度：-0.07MPa~-0.09MPa；

25、尺寸和重量：

尺寸：機體1000 mm（長）×750 mm（寬）×1700mm（高）；

重量：≤200Kg；

26、光刻機的組成：

由主機（含機體和工作臺），對準用單筒顯微鏡，LED曝光頭組成；

27、附件如下：

a. 主機附件：（出廠時安裝到機器上）

1) 178×178mm掩版夾盤；

2) 用于?150mm基片的真空夾持承片臺；

b．顯微鏡組成；

1) 高分辨率單筒顯微鏡一個；

2) 一個CCD；

3) 視頻連接線；

4) 計算機和19"以上液晶監(jiān)視器；