G-26D8型高精密單面光刻機

基本尺寸圖

一、主要用途

本設備用于中小規(guī)模集成電路、半導體元器件、聲表面波器件的研制和生產(chǎn)，找平 機構(gòu)（三點找平）極為突出，找平力極小，使得在基片曝光操作上適用性廣泛，各類常規(guī)基片曝光時，本機均可穩(wěn)定、沉穩(wěn)應對，保障曝光工作順利。其次，本機應對特殊基片時也表現(xiàn)明顯，如質(zhì)地易碎的砷化鉀、磷化銦基片，操作時不會被損壞就可完成曝光；對非圓形基片、小型基片這種特殊的、對精度要求高的基片，本機也能完成曝光，滿足曝光需求。

LED曝光頭及部件圖

三點找平機構(gòu)高精度X、Y、Z、Q 調(diào)節(jié)機構(gòu)

二、主要性能指標

1、曝光類型：單面，接觸式；

2、曝光面積：Ф210mm；

3、光照均勻性：≥97%（8"圓片），光照均勻性：≥96%（8"方片）（測量儀器：光強計； 測量方法：逐點檢測法）；

4、曝光強度：≤30mw/cm²；（測量儀器：光強計；測量方法：紫 外線照度計測量）；

5、平行半角范圍：≤2.5°；

6、紫外光中心波長：365nm（也可以配專用曝光頭實現(xiàn)g線、h線、I線的組合）；

7、光源質(zhì)保期：1年；

8、曝光分辨率：3μm；

9、曝光模式：可選擇一次曝光或套刻曝光；

10、顯微鏡掃描范圍：X：±15mm Y：±15mm；

11、對準范圍：X、Y±3mm；Q±3°；

12、套刻精度：3μm；

13、分離量；0～50μm 可調(diào)；

14、接觸－分離漂移：≤±1μm；

15、曝光方式：密著曝光，可實現(xiàn)硬接觸、軟接觸和微力接觸曝光；

16、找平方式：三點式自動找平；

17、顯微系統(tǒng)：雙視場CCD系統(tǒng)，顯微鏡91X～570X連續(xù)變倍（物鏡1.6X10X連續(xù)變倍），雙物鏡距離可調(diào)范圍50mm～200mm，計算機圖像處理系統(tǒng)，19″液晶監(jiān)視器；

18、掩模板尺寸：9″×9″；

19、基片尺寸：φ8″；

20、基片厚度：≤5mm（需分級，級差1mm）；

21、曝光定時：0～999.9秒可調(diào)；

22、對準精度：±1μm；

23、設備所需能源：電源：單相 AC220V 50HZ ，功耗≤1.5KW； 潔凈空氣壓力：≥0.4MPa； 真空度：-0.07MPa~-0.09MPa；

24、尺寸和重量： 尺寸：機體 1300 mm（長）×750 mm（寬）×1700mm（高）。 重量：≤260Kg；

25、G-26D8 型光刻機的組成： 由主機（含機體和工作臺），對準用單筒顯微鏡，LED 曝光頭組成；

26、附件如下：

a. 主機附件：（出廠時安裝到機器上）

1) 9"□型掩版夾盤。

2) 用于Φ8"基片的真空夾持承片臺。

b．顯微鏡組成；

(1) 高分辨率單筒顯微鏡一個；

(2) 一個CCD；

(3) 視頻連接線；

(4) 計算機和19"以上液晶監(jiān)視器；