G-30D4型高精密單面光刻機

一、設(shè)備概述:

本設(shè)備為我公司專門針對各大、中、小型企業(yè)的使用特性而研發(fā)的一種高精密雙面光刻機，它主要用于中小規(guī)模集成電路、半導(dǎo)體元器件、聲表面波器件的研制和生產(chǎn),它具有生產(chǎn)效率高、結(jié)構(gòu)簡單、操作維護方便等優(yōu)勢，本機不僅適合4英寸以下各型基片的曝光，也適合易碎片如砷化鉀、磷化銦等基片的曝光以及非圓形基片和小型基片的曝光。 主要由防震工作臺、LED專用曝光頭、氣動系統(tǒng)、電氣控制系統(tǒng)、真空管路系統(tǒng)、直聯(lián)式真空泵及附件箱等組成。

曝光頭及部件圖

二、主要技術(shù)指標(biāo)

1、曝光類型：接觸式，雙面，一次同時曝光(配置4″LED專用曝光頭)；

2、曝光面積：110×110mm；

3、曝光不均勻性：≤3%；

4、曝光強度：0～30mw/cm2可調(diào)；

5、紫外光束角：≤3°；

6、紫外光中心波長：365nm；

7、紫外光源壽命：≥2萬小時；

8、工作面溫度：≤30℃；

9、采用電子快門；

10、曝光分辨率：2μm(曝光深度為線寬的10倍左右)；

11、曝光方式：接觸式曝光；

12、掩模版尺寸：≤127×127mm；

13、基片尺寸：≤ Φ100mm;

14、基片厚度：≤5 mm；

15、曝光定時：0～999.9秒可調(diào)；