G-33E6型高精密雙面光刻機(jī)

一、設(shè)備概述

本設(shè)備廣泛用于各大、中、小型企業(yè)、大專(zhuān)院校、科研單位，主要用于集成電路、半導(dǎo)體元器件、光電子器件、光學(xué)器件研制和生產(chǎn),由于本機(jī)找平機(jī)構(gòu)(三點(diǎn)找平）極為突出，找平力小，使本機(jī)不僅適合硅片、玻璃片、陶瓷片的曝光，而且也適合易碎片如砷化鉀、磷化銦等基片的曝光, 這是一臺(tái)雙面對(duì)準(zhǔn)單面曝光的光刻機(jī),它不僅能完成普通光刻機(jī)的任何工作,同時(shí)還是一臺(tái)檢查雙面對(duì)準(zhǔn)精度的檢查儀。

二、設(shè)備主要構(gòu)成

主要由高精度對(duì)準(zhǔn)工作臺(tái)、雙目分離視場(chǎng)立式顯微鏡或雙目分離視場(chǎng)臥式顯微鏡、數(shù)字式攝像頭、計(jì)算機(jī)成象記憶系統(tǒng)、6″高均勻性蠅眼專(zhuān)用曝光頭。

三、主要性能指標(biāo)

1、曝光類(lèi)型：雙面對(duì)準(zhǔn)單面曝光；

2、曝光面積：≥150×150mm；

3、曝光強(qiáng)度：≥5mw/cm²；

4、曝光照度均勻性：≥97%（?100mm）；≥96%（?150mm）；光束角：≤3?（測(cè)量?jī)x器：光強(qiáng)計(jì)；測(cè)量方法：逐點(diǎn)檢測(cè)法）；

5、紫外光源：350W高壓球形汞燈

6、曝光模式：可以正反對(duì)準(zhǔn)，正面套刻曝光；

7、曝光方式：密著曝光；

8、曝光分辨率：≤1μm；（所需條件見(jiàn)后面附件1）；

9、對(duì)準(zhǔn)范圍：X、Y±3mm；Q±3°，Q轉(zhuǎn)調(diào)節(jié)精度≤0.05°，對(duì)準(zhǔn)精度：正面≤1μm；反面≤3μm；

10、載物臺(tái)x,y平面移動(dòng)精度≤1um；

11、對(duì)準(zhǔn)方式：手動(dòng)；

12、接觸－分離漂移：≤1μm；分離量；0～50μm可調(diào)；

13、具有三點(diǎn)自動(dòng)找平功能，找平精度≤3um；

14、顯微系統(tǒng)：

1) 正面對(duì)準(zhǔn)采用雙視場(chǎng)CCD立式顯微鏡，總放大倍數(shù)觀(guān)察系統(tǒng)放大倍數(shù)為： 1.6×57=91 倍（小倍數(shù)），10×57=570 倍（大倍數(shù)），連續(xù)調(diào)節(jié)，雙物鏡可調(diào)距離50mm～120mm；

2) 反面對(duì)準(zhǔn)采用雙視場(chǎng)CCD臥式顯微鏡。總放大倍數(shù)為57-400倍連續(xù)變焦，顯微鏡調(diào)整范圍: X、Y、Z，通過(guò)千分尺實(shí)現(xiàn)X、Y、Z移動(dòng)；

15、配置掩模版架： 7″×7″一套；（可以根據(jù)用戶(hù)需要定制）；

16、配置基片載物臺(tái)：?150mm一套；（可以根據(jù)用戶(hù)需要定制）；

17、配有無(wú)油靜音真空泵；

18、尺寸和重量：

尺寸：機(jī)體1300 mm（長(zhǎng)）×750 mm（寬）×1900mm（高）。

重量：≤400Kg。

19、G-33E6 型光刻機(jī)的組成：

由主機(jī)（含機(jī)體和工作臺(tái)），對(duì)準(zhǔn)用單筒顯微鏡，LED紫外曝光頭組成。