G-31B4型高精密雙面光刻機

一、主要用途: 

主要用于中小規(guī)模集成電路、半導體元器件、光電子器件、聲表面波器件、薄膜電路、電力電子器件的研制和生產(chǎn)。

二、主要性能指標：

1.曝光類型：接觸式、版片對準單面曝光；  

2.曝光面積：φ100mm；   

3.曝光不均勻性：≤3%；   

4.曝光強度：≥5mw/cm²；  

5.曝光分辨率：2μm；   

6.曝光模式：單面曝光；

7.對準范圍：X:±5mm Y:±5mm；   

8.套刻精度：2μm；

9.旋轉(zhuǎn)范圍：Q向旋轉(zhuǎn)調(diào)節(jié)≤±5°；

10.顯微系統(tǒng)：雙視場CCD系統(tǒng)，物鏡1.6X～10X，計算機圖像處理系統(tǒng)，19″液晶監(jiān)視器；   

11.掩模版尺寸：能真空吸附127×127 mm方形掩板，對版的厚度無特殊要求（1～3mm皆可）；

12.基片尺寸：適用于φ100mm圓形基片，基片厚度≤1mm；

13.曝光：

(1)光源采用GCQ350型高壓球形汞燈；

(2)照明范圍：≤φ117mm；

(3)光的不均勻性：φ100mm范圍內(nèi)：±3%；

(4)可使用的波長：G線、H線、I線的組合；（即3500－5000埃）；

(5)成像面照明：使用UV－A型表測量，光照度≤5毫瓦/厘米2左右（采用365°測頭測量）；

14.采用進口(SMC)時間繼電器（該繼電器可從0.1秒－999.9秒內(nèi)任意設定）控制“真空快門”，動作準確可靠；

15.該機為雙面接觸式曝光機，該機特制的翻版機構(gòu)，能消除基片楔形誤差，掩膜版對基片良好的接觸，從而提升基片的曝光質(zhì)量；

16.分辨率估量：如果用戶的“版”、“片”精度符合國家規(guī)定、環(huán)境、溫度、濕度以及房間凈化得到嚴格控制，采用進口“正性”光刻膠，且勻膠厚度和均勻度也得到嚴格控制的話，本機曝光..小分辨可達0.002mm，建議使用在≥0.003mm以上；

17.對準：

A、 四個單視場變倍顯微鏡加四個CCD攝像機加19"監(jiān)視器；

1）四個單視場變倍顯微鏡的變倍范圍1.6X-10X；

2）四個CCD攝像頭：平面對角線尺為1/3"；

3）采用19"液晶監(jiān)視器，其數(shù)字放大倍率為19÷1/3=57倍；

觀察系統(tǒng)放大倍數(shù)為：1.6×57≈91倍（小倍數(shù)），10×57≈570倍（大倍數(shù))；

B、對準臺

1）該裝置裝入 127×127 mm板架，對版進行真空吸附；

2）該裝置安裝在機座上，能作翻轉(zhuǎn)運動，相對于承片臺而言作上下翻轉(zhuǎn)運動，以便于版的安裝和片的翻面；

3）該裝置能來回反復翻轉(zhuǎn)，回到承片臺上平面的位置時，重復精度為≤±1.5μ；

4）該裝置具有補償基片楔形誤差之功能，讓版與片上平面之良好接觸，以便提高曝光質(zhì)量；

C、承片臺調(diào)整裝置：

配備有Φ100 mm承片臺一個，這種承片臺有二個長方孔，下面二個CCD通過該孔能觀察到版或片的下平面；

承片臺能作X、Y、Z、θ運動，X、Y、Z可作±4mm運動，θ運動為±5°；

承片臺密著環(huán)相對于版，能實現(xiàn)“真空密著”。